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再创佳绩!东大在这项全国大赛中一等奖数量排名第一!

止于至善的 东南大学 2022-05-03


近日

第五届全国大学生

集成电路创新创业大赛全国总决赛

顺利举行

东南大学在本届大赛中再创佳绩

一等奖数量位列所有参赛高校第一

并获优秀组织奖

跟随小编一起来看一下吧~




获奖情况


经过全国总决赛的激烈角逐,东南大学共斩获一等奖(企业大奖)2项,一等奖3项,二等奖6项,三等奖5项,一等奖数量位列所有参赛高校第一(含2个企业大奖),并获得优秀组织奖(总积分第二)。


由单伟伟老师指导,葛海涛、沈正国、陈龙三位研究生完成的“基于DSCNN的关键词唤醒系统”,以及由吴金、郑丽霞两位老师指导,欧熙、方逸尘、李晋文三位研究生完成的“一种超低功耗高瞬态响应无片外电容LDO设计”,荣获全国一等奖(企业大奖)



由汤勇明老师指导,宋长骏、刘济源、边中鉴三位研究生完成的“基于PGL22G的带有存储自检功能的智能监测报警系统”,由王超老师指导,左岳、周亦非两位研究生完成的“零填充不完全LU分解求解器”, 以及由刘波老师指导,钱俊逸、王梓羽、张人元三位研究生完成的“自适应噪声环境的超低功耗语音关键词识别系统”,荣获全国一等奖


另有6支团队获得全国二等奖,5支队伍获得全国三等奖。



晓东

一起来看看是哪些优秀团队获奖了吧!



部分团队风采



项目名称:基于DSCNN的关键词唤醒系统

荣获奖项:全国一等奖企业大奖

指导老师:单伟伟

项目成员:葛海涛、沈正国、陈龙

项目简介:本作品以语音唤醒的人机交互为核心功能,以芯来蜂鸟E203SoC为软件平台、MCU200T为硬件平台设计了一款基于DSCNN的关键词唤醒硬件加速器,线下基于pytorch平台评估不同网络规模以及MFCC精度所达到的识别精度以及硬件实现代价,最终选择在保证精度的情况下,硬件开销最小的网络规模以及MFCC精度,从而实现软硬件协同设计。




项目名称:一种超低功耗高瞬态响应无片外电容LDO设计

荣获奖项:全国一等奖企业大奖

指导老师:吴金、郑丽霞

项目成员:欧熙、方逸尘、李晋文

项目简介:随着集成电路工艺的发展,无片外电容 LDO 广泛应用于 SOC 的电源管理模块,用于提供噪声小、纹波小的优质电源电压。本文针对数模混合信号芯片数字部分的供电要求,设计了一款超低功耗高瞬态响应无片外电容 LDO 电路。整体架构采用 NMOS 功率管,基于 FVF 和源输入跨导放大的误差放大器结构,可实现超低待机功耗和高速瞬态响应性能。基于滞回比较器提出了一种动态电流开关控制逻辑,可以满足 10µA-20mA 负载跳变情况下的高速瞬态响应,同时能够很好地确保 100µA 轻载下低功耗。电路设计基于 TSMC350nm 工艺,后仿真结果表明各个工艺角下均能满足指标要求。




项目名称:一种超低功耗高瞬态响应无片外电容LDO设计

荣获奖项:全国一等奖企业大奖

指导老师:吴金、郑丽霞

项目成员:欧熙、方逸尘、李晋文

项目简介:随着集成电路工艺的发展,无片外电容 LDO 广泛应用于 SOC 的电源管理模块,用于提供噪声小、纹波小的优质电源电压。本文针对数模混合信号芯片数字部分的供电要求,设计了一款超低功耗高瞬态响应无片外电容 LDO 电路。整体架构采用 NMOS 功率管,基于 FVF 和源输入跨导放大的误差放大器结构,可实现超低待机功耗和高速瞬态响应性能。基于滞回比较器提出了一种动态电流开关控制逻辑,可以满足 10µA-20mA 负载跳变情况下的高速瞬态响应,同时能够很好地确保 100µA 轻载下低功耗。电路设计基于 TSMC350nm 工艺,后仿真结果表明各个工艺角下均能满足指标要求。




项目名称:零填充不完全LU分解求解器

荣获奖项:全国一等奖

指导老师:王超

项目成员:左岳、周亦非

项目简介:随着集成电路产业的发展,集成电路设计规模日益增大,仿真器的仿真周期随电路规模扩大呈超线性增长,提高求解线性方程组的效率对整个电路仿真加速起至关重要的作用。本参赛作品针对稀疏线性方程组迭代法求解中的两个关键步骤——预处理矩阵的三角分解和三角回带求解给出解决方案,并通过访存优化、预计算、关键数据缓存、多策略融合、多线程等方式实现了性能加速。




项目名称:自适应噪声环境的超低功耗语音关键词识别系统

荣获奖项:全国一等奖

指导老师:刘波

项目成员:钱俊逸、王梓羽、张人元

项目简介:本作品设计了一款基于蜂鸟E203的自适应噪声环境超低功耗语音关键词识别系统。该系统可针对噪声环境的高低切换不同精度的神经网络,根据信噪比大小自动选择合适的工作模式。系统能实现12个语音关键词的识别并可实时通过语音命令控制贪吃蛇前进方向,在近麦克风语音环境下识别准确率为89.1%,在5dB信噪比环境下准确率为86.4%。基于TSMC 22nm ULL工艺,本作品版图面积为0.6 mm^2,HVT工艺下加速器芯片功耗约为6.7μW。



集成电路发展具有重要意义

东南大学将继续以培育领军人才为目标

将行业发展需求融入教学过程

为集成电路产业提供优秀“后备军”

为国家做出更大贡献

亲爱的SEUer

一起践行东南大学止于至善的校训

努力成为领军人才吧!



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来源 | 青年东大说

配图摄影 | 逄康博

编辑 | 周静 张佳仪

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祝贺东南大学再创佳绩!

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